Indium Gallium Arsenide
释义 Definition
砷化铟镓（常写作 InGaAs）：一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，主要由铟（In）、镓（Ga）与砷（As）组成（通常指 In_xGa_{1−x}As 的合金）。它常用于红外探测器、光通信器件、激光器、以及高速电子器件等领域。（注：在材料科学中，它也可指不同成分比例的系列材料。）
发音 Pronunciation (IPA)
/ˈɪndiəm ˈɡæliəm ɑːrˈsɛnaɪd/
例句 Examples
Indium gallium arsenide is used in infrared cameras.
砷化铟镓用于红外摄像机。
Because indium gallium arsenide has a tunable bandgap, it is widely used in fiber‑optic communications and high‑speed photodetectors.
由于砷化铟镓的带隙可调，它被广泛用于光纤通信和高速光电探测器。
词源 Etymology
这是由三部分构成的材料名称：
- Indium（铟）：19世纪发现元素时，因光谱中呈现靛蓝色（indigo）线而得名。
- Gallium（镓）：以拉丁文 Gallia（高卢/法国）命名。
- Arsenide（砷化物）：来自 arsenic（砷），后缀 -ide 表示“与某元素形成的化合物/阴离子化合物”，在化学命名中常见。
相关词 Related Words
文学与著作中的用例 Literary / Notable Works
- S. M. Sze & K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices（经典半导体器件教材中常讨论Ⅲ-Ⅴ族材料体系与相关器件背景，InGaAs 在相关章节与应用语境中出现）
- B. E. A. Saleh & M. C. Teich, Fundamentals of Photonics（光电探测与通信材料语境中常涉及 InGaAs 探测器）
- 期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics、Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics（大量关于 InGaAs 光电器件、外延生长与器件性能的论文中频繁出现该术语）
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